“大學之道”——安泰測試方案精選-半導體與芯片器件研究測試篇
半導體產業概述
中國大陸是2019年wei一半導體材料增長市場。近年來半導體材料銷售額達到519億美元，大陸地區銷售額銷售額達84億美元，其中國產材料占比僅為20%，在硅晶圓制造產業向大陸轉移的歷史浪潮之下，半導體材料進口替代將成為必然趨勢，國內半導體材料研究未來成長空間巨大。
2018年半導體材料銷售額及區域占比情況（單位：億美元，%）
半導體產業加速向中國大陸轉移，中國正成為主要承接地，2020年業界普遍認為5g會實現大規模商用，熱點技術與應用推動下，國內半導體材料需求有望進一步增長。
寬禁帶半導體材料測試
1、典型應用一.功率雙極性晶體管bjt特性表征
2、典型應用二.功率場效應管mosfet特性表征
3 、典型應用三. igbt特性表征
4 、典型應用四.超低頻電容電壓cv曲線
測試設備：2600-pct及部分高低壓配置（四探針測試法）
石墨烯材料測試
1、四線法及霍爾效應測試均是加流測壓的過程,需要設備能輸出電流并且測試電壓
2、電阻率及電子移率通常范圍較,需要電流電壓范圍都很大的設備
3、電流源和電壓表精度要高,保證測試的準確性
測試設備：series 2600b smu
光電器件liv特性分析測試
1、激光二極管的電學參數測試-liv曲線
2、正向電壓vf，光功率l，門限電流i th測試
3 、拐點測試和線性度測試，結點自熱效應測試
4 、背光二極管電流，光電二極管暗電流，熱敏電阻測試
測試設備：dmm7510，series 2600b smu
太陽能電池測試
在有機太陽能電池的表征與測試技術中，i-v測試是基本、重要、直接的測試方式。i-v測試系統，能夠得到器件以下參數：能量轉化效率、填充因子、短路電流和開路電壓，而這四個參數正是衡量電池性能好壞的直接的標準。
測試設備：series 2600b smu
功率器件igbt測試
1.全面的靜態/動態測試方案
靜態參數標準測試項目
擊穿電壓;閾值電壓;開態電流;漏電流；正向跨導;輸入電容;輸出電容;反向傳輸電容等。
動態參數標準測試項目
開通時間;關斷時間;關斷延遲時間;下隆時間,單脈沖開通能量;單脈沖關斷能量
測試設備：2600-pct及部分高低壓配置；函數發生器+示波器mso5/6+探頭配套電源測試板
半浮柵器件研發測試
同時提供高性能半導體參數及多通道高速脈沖測試
測試設備：測試儀器: 4200-scs+4200-su+4225-pmu,半導體參數測試儀,完成晶體管參數及通用存儲讀寫性能測試。awg5208八通道任意波發生器；高帶寬示波器共同完成高速脈沖讀寫測mso73304脈沖,與任意波發生器共同完成高速脈沖讀寫測試
微機電mems測試
mems測試難點
1、pa量級的泄露電流是mems的必測項目。需要帶前置放大器的高精度的源表設備。
2、電容式微傳感器pf量級的電容是mems的必測項。這個電容值很小,測試設備所能施加的交流頻率和電容測量的精度是需要考慮的因素
3、電阻式微傳感器具有范圍較大的電阻分布是mems的必測項。因此測試設備的電壓電流動態范圍也必須足夠大
4、mems工藝監控也是重要內容。比如載流子濃度，載流子遷移率監測
測試設備：
總結
隨著器件設計難度加大，高精度高可靠性測試設備越來越被前沿研究所依賴。半導體器件測試設備在半導體產業發展中起到非常關鍵的角色，科學的設計需要實際的測量來驗證，沒有測量就沒有科學，這對半導體日益縮小的尺寸和規模的不斷增大所用到的測試設備提出更高的要求。
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2、典型應用二.功率場效應管mosfet特性表征
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4 、典型應用四.超低頻電容電壓cv曲線
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開通時間;關斷時間;關斷延遲時間;下隆時間,單脈沖開通能量;單脈沖關斷能量
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