電阻測量的定義-napson手持式電阻測量儀EC-80P
通常，電阻（電阻）用于評估物質或材料的電導率（導電性）。我認為下面的ω（ohm）是電阻的評估標準（許多人在“歐姆定律”中都記得它）。
電阻_（電阻）=ω[讀數：歐姆]→表示電流難易度的單位
r = v / i * v =電壓，i =電流
由數字萬用表（絕緣電阻表）測量的絕緣電阻也通常以ω單位表示。
電阻單位還根據物質或材料的形狀而適當地使用，并且根據測量目標而主要使用，因為存在針對每個行業的工業標準（例如，jis）的電阻單位。關于電阻的表示法是不同的。
除了電阻[ω]，我們的電阻測量系統還支持以下兩種類型的電阻測量單位：電阻[ωcm]和薄層電阻[ω/□]。
電阻=ωcm[讀數：歐姆厘米]*也稱為比電阻。
→物質的“體積電阻值”
它主要用于表示較厚物體的電阻，例如硅片，大塊以及導電橡膠和塑料。
電阻：r的值由以下等式表示，其中ρ是電阻，l是導體的長度，a是導體的截面積。
r =ρ×[l / a]
因此，電阻值ρ由下式表示。
ρ= v / i×[a / l]
*單位為ωcm時，值為1 cm x 1 cm x 1 cm的體積。根據測量目標的不同，它可能以ωm（歐姆表）表示。
薄層電阻=ω/□[讀數：歐姆標準平方]*也稱為比電阻。
→物質的“表面電阻值”
它主要用于表示片狀材料（例如薄膜和膜狀材料）的電阻。
一般而言，當表示三維電導率時，電阻由下式表示。
r =ρ×l / a ＝ l / w×ρs
假設樣品的長度：l和寬度：w是均勻的，則電阻：r和薄層電阻：ρs相等。
薄層電阻：ρs也可以表示為通過將電阻：ρ除以厚度：t得到的值。
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用jog撥盤輕松設置測量條件
連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
（電阻探頭：多可以使用2 + pn判斷探頭）
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
測量規格測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，dlc，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ito等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-??cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
測量規格測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，dlc，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ito等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-??cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
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