在高壓、大功率器件及集成電路中,鋁布線要求能夠承受高壓、大電流,在惡劣的環(huán)境下具備良好的可靠性,因此需要一定厚度的鋁.
沈陽某研究所采用伯東hakuto離子蝕刻機7.5ibe用于芯片制造中厚鋁刻蝕.
hakuto離子蝕刻機7.5ibe技術(shù)規(guī)格:
真空腔
1 set,主體不銹鋼,水冷
基片尺寸
1 set, 4”/6”? stage,直接冷卻,
離子源
? 8cm考夫曼離子源kdc75
離子束入射角
0 degree~± 90 degree
極限真空
≦1x10-4 pa
刻蝕性能
一致性: ≤±5% across 4”
該hakuto離子刻蝕機7.5ibe的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的kri考夫曼公司的考夫曼離子源kdc 75
伯東美國kri考夫曼離子源kdc75技術(shù)參數(shù):
離子源型號
離子源kdc 75
discharge
dc熱離子
離子束流
>250 ma
離子動能
100-1200 v
柵極直徑
7.5 cm φ
離子束
聚焦,平行,散射
流量
2-15 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型壓力
< 0.5m torr
長度
20.1 cm
直徑
14 cm
中和器
燈絲
若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論,請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
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