“納米壓印技術”展示了通過在溫度和壓力控制的印刷過程中使熱塑性材料物理變形來執行低于100 nm平行光刻的能力 。使用通過電子束光刻和干刻蝕圖案化的硅壓模來實現。這項技術的優點在于，可使用具有納米圖案的硅“母版”，進行成千上萬次復制，從而降低成本并提高產量，用于半導體工藝中的開發個研究。
包含的技術：熱壓印、uv紫外壓印、微米結構壓印（µcp）、卷對卷壓印和注塑成型等。
典型的基材材料：硅，熔融石英，iii-v材料和聚合物材料等。
典型的壓印聚合物：pmma，coc，cop，pc和pet等。
下面我們來具體介紹關于微透鏡陣列的應用案例：
微透鏡陣列microlens arrays
微透鏡陣列（mlas）是用于光學應用的小型、亞毫米級透鏡陣列，例如ccd陣列上的光收集，光學顯微鏡，光場相機，3d成像和顯示器，光學傳感器和lidar系統等。
設計和制造高品質的微透鏡陣列（mlas），我們擁有各種具有凹形或凸形mlas的母版，可用于通過熱壓花，uv復制或注塑成型來制作聚合物微透鏡陣列。可使用此款小型臺式cni v3.0納米壓印系統來制作。
cni v3.0納米壓印系統
提供一維和二維數組。還提供六邊形和方形配置，以及隨機配置的透鏡配置，球形或非球形透鏡形狀，密排透鏡或透鏡之間有間隙。
母版提供熔融石英和鎳。鏡片的深度/高度和鏡片寬度可以獨立控制，可在印章上實現任何拋物線形鏡片形狀。也可提供帶有凸透鏡和凹透鏡陣列的聚合物復制品。
透鏡直徑范圍為1.3 µm至20 µm，sag高度范圍為0.12 µm至5.5 µm。標準mlas上的有效區域范圍為5毫米 x 5毫米至100毫米 x 100毫米，可帶有或不帶有防粘涂層。
自定義微透鏡陣列（mlas）規格：

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常見工作電壓范圍，主要標稱的為下面五個范圍：如100-277Vac/120-277Vac 100-240Vac,220-240Vac,277-480Vac
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