介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據。它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業提供了更為方便的檢測工具，測量值更為，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調諧電容值下檢測器件的品質，無須關注量程和換算單位。工作電壓說明：
在使用中，本電橋頂a，b對v點的電壓高不超過11v，r3橋臂各盤的電流不超過下列規定：
10×1kω 1max≤15ma
10×100ω 1max≤120ma
10×10ω l max≤150ma
用戶在使用前應注意以上的問題。如不清楚，可根據實驗電壓及標準電容量，按以下公式來計算出大概的工作電流。
i=ω v c
2-4輔橋的技術特性：
不失真跟蹤電壓0～11v（有效值）
2-5指零裝置的技術特性：
在50hz時電壓靈敏度不低于1×10-6v/格
電流靈敏度不低于2×10-9 a/格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db

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