離子鍍覆或等離子cvd工藝，作為干式涂層技術，不僅在工具和模具行業普遍采用，在機械零件或裝飾品等方面應用也很廣泛，因此，這種工藝在涂層市場占有相當大的份額。為了開拓新的市場，必須突破現有涂層工藝的框架，開發新的涂層技術。
現有涂層工藝的狀況是，與配置于真空容器內的待涂層工件相比，所生成的等離子范圍較狹小，為了使鍍膜均勻和處理批量增大，涂層裝置內必須增設使待處理件自轉和公轉的機構，以便在工件外表面覆蓋上鍍膜。但僅靠對工件的夾持和使之回轉，不可能在工件內表面和深凹的溝槽等部位獲得均勻的牢固粘附的鍍膜。另外，為了使離子注入以改變工件材料表面性質，同時又不致產生剝落現象，這種裝置的價格十分昂貴，一般企業難以購置。
如果待處理品為三維形狀工件，更必須讓其在真空中作三維式回轉。由此可見，涂層技術在降低生產成本和擴大處理批量方面，尚有許多問題亟待解決。
針對涂層工藝存在的上述問題，1986年美國威斯康辛大學開發了一種新技術，即將被處理物體置于等離子環境中，外加高電壓脈沖，從而可在三維形狀物體表面注入離子。此項技術的全稱是plasmasourceionimplantation，簡稱psii技術。
1993年9月，在日本金澤市召開的smmid93會議上，由jrconrad博士發表特別講演，將該項技術介紹到日本。隨后，日本也進行了有關psii的研究，并提出了多篇研究報告。
從1998～2000年，日本組織產業界、高等院校和研究機關通力合作，經過三年反復試驗研究，終于在psii基礎上開發出一種全新的涂層技術，即hybridpulseplasmacoating系統，簡稱hppc技術。
hppc技術的特點
psii技術是在被加工物體處于靜止狀態（無自轉和公轉）時，在其三維復雜形狀的表面注入離子，從而達到改善表面物質性能的效果。psii技術的原理是：對置于等離子環境中的物體外加負值高電壓，以在物體附近形成無電子包層，通過該包層外加高電壓，使等離子端部的離子被垂直注入于物體表面。

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