歐科變頻器采用獨立的風道設計和多重風扇控制方式，優化了內部結構及端子接線方式，應用多種精密集成元器件，有效控制了自身的能耗比和發熱量，允許的zui高環境溫度可達45℃。
歐科變頻器鐵過機現場實測的平均溫度在28.5℃
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變頻器的主要發熱部位也就是整流及逆變部分。整流一般采用三相橋式整流電路，由于是工頻工作，對整流模塊的開關頻率沒有太高的要求，選擇壓降小的整流模塊可降低這一部分的溫升。在變頻器工作時，作為完成功率變換及輸出的執行器件，逆變模塊產生的熱量是非常大的。
目前主流變頻器的逆變模塊一般采用igbt模塊（insulated gate bipolartransistor絕緣柵雙極型晶體管），igbt是由mosfet和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為mosfet，輸出極為pnp晶體管，因此，可以把其看作是mos輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優點，既具有mosfet器件驅動簡單和快速的優點，又具有雙極型器件容量大的優點，igbt作為電壓型控制器件，具有輸入阻抗高、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快、工作頻率高、功率容量大等優點，
因而在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用。一般情況下流過igbt電流較大，開關頻率較高，故而器件的損耗也比較大，如果熱量不能及時散掉，使得器件的結溫tj超過tjmax，則igbt可能損壞。igbt模塊的芯片zui大額定結溫tjmax是150℃，在任何工作條件下，都不允許超過，否則要發生熱擊穿而造成損壞，一般要留余地，在zui惡劣條件下，結溫tj限定在125℃以下，但芯片內結溫監測有難度，所以變頻器的igbt模塊，都在散熱器表面裝有溫控開關，其值在80~85℃之間。當達到此溫度時，即因過熱保護動作，從而自動停機，以確保igbt的安全。也有用熱敏電阻進行保護的。igbt的損耗不僅與工作電流大小有關，更重要的是與變頻器的載波頻率密切相關。當pwm信號頻率＞5khz時開關損耗會非常顯著，溫升會明顯增加。igbt的功耗包括穩態功耗和動態功耗，其動態功耗又包括開通功耗和關斷功耗。
其他如半導體器件與導體的連接處、母線（排）、浪涌吸收器與主電路的電阻原件等也在變頻器工作時產生熱量，其溫升極限值在國家標準中也做出相應規定。

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