對於故障分析而言，微光顯微鏡(emission microscope, emmi)是一種相當有用且效率高的分析工具。主要偵測ic內部所放出光子。在ic元件中，ehp(electron hole pairs) recombination會放出光子(photon)。舉例說明：在p-n 結加偏壓，此時n阱的電子很容易擴散到p阱，而p的空穴也容易擴散至n然後與p端的空穴（或n端的電子）做 ehp recombination。
檢測到亮點之情況：會產生亮點的缺陷 - 漏電結（junction leakage）; 接觸毛刺（contact spiking）; （熱電子效應）hot electrons;閂鎖效應（ latch-up）;氧化層漏電（ gate oxide defects / leakage(f-n current)）;多晶硅晶須（poly-silicon filaments）;襯底損傷（substrate damage）; （物理損傷）mechanical damage等。原來就會有的亮點 - saturated/ active bipolar transistors; -saturated mos/dynamic cmos; forward biased diodes/reverse；biased diodes(break down) 等。
偵測不到亮點之情況：不會出現亮點的故障 -歐姆接觸；金屬互聯短路；表面反型層；硅導電通路等。亮點被遮蔽之情況 - buried junctions及leakage sites under metal，這種情況可以采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。obirch（光束誘導電阻變化）光誘導電阻變化（obirch）模式能快速準確的進行ic中元件的短路、布線和通孔互聯中的空洞、金屬中的硅沉積等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉化為熱能，如果金屬互聯線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區域與激光束掃描位置的對應，定位缺陷位置。obirch模式具有高分辨能力，其測試精度非常高。pem（photo emission microscope)光束誘導電阻變化（obirch）功能與光發射（emmi）常見集成在一個檢測系統，合稱pem（photo emission microscope)，兩者互為補充，能夠很好的應對絕大多數失效模式。

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