重慶某研究所在在氮化硅刻蝕工藝研究中采用hakuto離子刻蝕機(jī)7.5ibe.
hakuto離子蝕刻機(jī)7.5ibe技術(shù)規(guī)格:
真空腔
1 set,主體不銹鋼,水冷
基片尺寸
1 set, 4”/6”? stage,直接冷卻,
離子源
? 8cm考夫曼離子源kdc75
離子束入射角
0 degree～± 90 degree
極限真空
≦1x10-4 pa
刻蝕性能
一致性:≤±5% across 4”
該hakuto離子刻蝕機(jī)7.5ibe的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的kri考夫曼公司的考夫曼離子源kdc 75
伯東美國(guó)kri考夫曼離子源kdc75技術(shù)參數(shù)：
離子源型號(hào)
離子源kdc 75
discharge
dc熱離子
離子束流
>250 ma
離子動(dòng)能
100-1200 v
柵極直徑
7.5 cm φ
離子束
聚焦,平行,散射
流量
2-15 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型壓力
< 0.5m torr
長(zhǎng)度
20.1 cm
直徑
14 cm
中和器
燈絲
針對(duì)氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損失的問(wèn)題,為了提高氮化硅對(duì)二氧化硅的刻蝕選擇比,采用cf4, ch3f和o2這3種混合氣體刻蝕氮化硅,通過(guò)調(diào)整氣體流量比,腔內(nèi)壓強(qiáng)及功率,研究其對(duì)氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對(duì)二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數(shù)的影響.
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上海伯東:羅先生

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