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Micro LED顯示中的關(guān)鍵激光剝離技術(shù)

2019美國(guó)拉斯維加斯“first look”活動(dòng)期間,三星發(fā)表了全新的模塊化75英寸4k分辨率micro led顯示器:“the window”。與三星在2018年ces展會(huì)上亮相的“the wall”相比,“the window”擁有更高密度的芯片、更佳的分辨率,展品一出,驚艷四座,引發(fā)業(yè)內(nèi)關(guān)注和討論。當(dāng)下,micro led顯示技術(shù)處于蓬勃發(fā)展階段,并正往市場(chǎng)應(yīng)用上靠攏,未來(lái)可期。
micro led知識(shí)講堂
micro led顯示的結(jié)構(gòu)是微型化led陣列。目前,單個(gè)micro led芯片的尺寸可以做到10μm以下,為常規(guī)led尺寸大小的1%。每一個(gè)micro led可視為一個(gè)像素,每個(gè)像素可以實(shí)現(xiàn)定址控制、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)自發(fā)光。在結(jié)構(gòu)上,micro led是一個(gè)由p型gan材料和n型gan材料相互緊密接觸時(shí)形成的p-n結(jié)面接觸型二極管。當(dāng)在p-n結(jié)兩側(cè)施加一個(gè)正向電壓,即對(duì)p型gan一側(cè)施加正壓,而對(duì)n型gan一側(cè)施加負(fù)壓時(shí),就可以使得p-n結(jié)兩側(cè)的載流子能夠容易地相互移動(dòng),進(jìn)而發(fā)生電子空穴的輻射復(fù)合,產(chǎn)生光出射。microled陣列經(jīng)由垂直交錯(cuò)的正、負(fù)柵狀電極連結(jié)每一顆microled的正、負(fù)極,通過(guò)過(guò)電極線的依序通電,以掃描方式點(diǎn)亮microled以顯示影像。
由于micro led芯片特殊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和發(fā)光原理,基于micro led芯片的顯示屏具有高像素、高色彩飽和度、低功耗、高亮度、快速反應(yīng)、長(zhǎng)壽命等顯著優(yōu)點(diǎn)。在顯示質(zhì)量方面,micro led單個(gè)芯片大小可至10μm以下,因此micro led顯示屏可以集成極高的像素密度。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,目前市場(chǎng)上搭載oled屏幕的iphone x像素密度為458ppi,而micro-led顯示可達(dá)到2000ppi以上;在性能方面,micro led 由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成,相比于oled易燒屏的有機(jī)發(fā)光材料,micro led屏的使用壽命會(huì)更久;在技術(shù)層面,micro led顯示為單點(diǎn)驅(qū)動(dòng)自發(fā)光技術(shù),擁有納秒(ns)級(jí)的超快反應(yīng)速度和效率。例如在vr行業(yè)中的應(yīng)用,由于micro led響應(yīng)速度極快,可以有效解決拖影、延遲問(wèn)題,消除vr使用者的暈眩感,可大幅提高沉浸感、提升用戶體驗(yàn);在能耗方面,以p-n結(jié)為典型結(jié)構(gòu)的micro led有著高亮度、低能耗的特點(diǎn),能提高可穿戴設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
正是因?yàn)榫邆淙绱藘?yōu)異的性能,吸引了三星、lg、索尼、京東方、華星等面板廠商積極地進(jìn)行技術(shù)研發(fā)儲(chǔ)備,micro led顯示技術(shù)正在迅速發(fā)展。
micro led顯示中的關(guān)鍵激光剝離技術(shù)
micro led顯示擁有優(yōu)越的性能,但是在技術(shù)層面還有待突破,其中一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)是外延襯底的剝離。基于gan發(fā)光材料的micro led芯片,由于gan與藍(lán)寶石晶格失配度較低且價(jià)格低廉,所以藍(lán)寶石襯底成為外延生長(zhǎng)gan材料的主流襯底。但是,藍(lán)寶石襯底的不導(dǎo)電性、差導(dǎo)熱性影響著micro led器件的發(fā)光效率;同時(shí),脆性材料藍(lán)寶石不利于micro led在柔性顯示方向的運(yùn)用,基于以上原因及micro led 顯示本身分辨率高、亮度高、對(duì)比度高等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),激光剝離藍(lán)寶石是必要且關(guān)鍵的環(huán)節(jié),且激光剝離技術(shù)更能凸顯micro led 的優(yōu)勢(shì)。
激光剝離環(huán)節(jié)實(shí)質(zhì)上是一個(gè)單脈沖掃描的過(guò)程,因此對(duì)激光束的均勻度和穩(wěn)定性有極高的要求。正是由于對(duì)激光技術(shù)和工藝穩(wěn)定性的極高要求,目前擁有該項(xiàng)技術(shù)并能用于穩(wěn)定生產(chǎn)的企業(yè)不多,現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)以大族激光為少數(shù)用于穩(wěn)定生產(chǎn)的代表。
激光剝離技術(shù)通過(guò)利用高能脈沖激光束穿透藍(lán)寶石基板,光子能量介于藍(lán)寶石帶隙和gan帶隙之間,對(duì)藍(lán)寶石襯底與外延生長(zhǎng)的gan材料的交界面進(jìn)行均勻掃描;gan層大量吸收光子能量,并分解形成液態(tài)ga和氮?dú)猓瑒t可以實(shí)現(xiàn)al2o3 襯底和gan 薄膜或gan-led 芯片的分離,使得幾乎可以在不使用外力的情況下,實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石襯底的剝離。
激光助力micro led顯示突破技術(shù)瓶頸
大族顯視與半導(dǎo)體從2013年便開(kāi)始對(duì)激光剝離(laser lift off,簡(jiǎn)稱llo)技術(shù)進(jìn)行研發(fā)及技術(shù)儲(chǔ)備,針對(duì)gan基micro led和垂直結(jié)構(gòu)led晶圓藍(lán)寶石襯底的剝離,成功研發(fā)并推出全自動(dòng)llo激光剝離設(shè)備。
設(shè)備采用全固態(tài)半導(dǎo)體(dpss)激光器作為光源,自主研發(fā)的266nm波長(zhǎng)可用于穩(wěn)定生產(chǎn)的激光倍頻模組,具有穩(wěn)定周期長(zhǎng)、維護(hù)成本低的優(yōu)點(diǎn);激光光束、功率穩(wěn)定,激光效率遠(yuǎn)高于國(guó)外的準(zhǔn)分子設(shè)備,優(yōu)越的加工性能尤其對(duì)于一些特殊的外延襯底(如圖形化藍(lán)寶石襯底等)的剝離表現(xiàn)優(yōu)異;聚焦焦深長(zhǎng)達(dá)1000μm,對(duì)于有翹曲的晶圓,在一定范圍內(nèi)也可保證很穩(wěn)定的剝離效果;設(shè)備穩(wěn)定性好,可全自動(dòng)上下料、24小時(shí)持續(xù)生產(chǎn),大幅節(jié)省人力成本;加工幅面大,可選擇性加工2~6寸晶圓,并搭載高精度ccd相機(jī),能實(shí)現(xiàn)區(qū)域剝離;加工效率高,以4寸晶圓為例,單片加工完成只需140秒左右,而傳統(tǒng)準(zhǔn)分子設(shè)備需要300秒以上。優(yōu)異的性能表現(xiàn)使得設(shè)備已在行業(yè)內(nèi)多家光電公司、研究所和高校通過(guò)性能驗(yàn)證并穩(wěn)定運(yùn)行。
大族自主研發(fā)的全自動(dòng)激光剝離設(shè)備
大族顯視與半導(dǎo)體在llo激光剝離技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)不斷積累行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、完善技術(shù)儲(chǔ)備,持續(xù)改進(jìn)并優(yōu)化工藝,積極進(jìn)行設(shè)備更新?lián)Q代,使得技術(shù)與設(shè)備具備核心競(jìng)爭(zhēng)力;同時(shí),大族顯視與半導(dǎo)體提交了激光剝離技術(shù)、設(shè)備整機(jī)相關(guān)的申請(qǐng)。
大族顯視與半導(dǎo)體對(duì)micro led其他技術(shù)領(lǐng)域也在積極地進(jìn)行戰(zhàn)略布局,對(duì)于其發(fā)展中遇到的更多技術(shù)難題,也可提供對(duì)應(yīng)的解決方案:
1、目前可針對(duì)多大單元的micro led芯片進(jìn)行穩(wěn)定且高良率的激光剝離?大族顯視與半導(dǎo)體可針對(duì)市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)的小單元顆粒為10-15μm的micro led 進(jìn)行激光剝離。
2、如何將這些微米級(jí)別的led轉(zhuǎn)移到基板、如何黏接、電路如何驅(qū)動(dòng)?激光剝離后的巨量轉(zhuǎn)移成為目前各個(gè)led廠與面板廠的研發(fā)重點(diǎn),大族顯視與半導(dǎo)體致力于micro led 的相關(guān)工藝的研發(fā),目前配合進(jìn)行的相關(guān)的巨量轉(zhuǎn)移方案有激光d-bounding的轉(zhuǎn)移方案與接觸式搬運(yùn)轉(zhuǎn)移方案。
3、micro led由于波長(zhǎng)一致性差導(dǎo)致led顏色不均,因此想要做出一整塊像現(xiàn)在智能手機(jī)大小的micro led面板,良品率非常低。針于micro led 芯片的光學(xué)性能、電學(xué)性能的檢測(cè)也是后續(xù)的一大難點(diǎn),目前大族顯視與半導(dǎo)體在進(jìn)行檢測(cè)方面的技術(shù)研發(fā)。
micro led技術(shù)的發(fā)展過(guò)程還是有諸多瓶頸,但歸功于micro led的優(yōu)勢(shì)與優(yōu)點(diǎn),該技術(shù)仍然是未來(lái)發(fā)展的一大亮點(diǎn)。大族顯視與半導(dǎo)體作為國(guó)產(chǎn)化裝備供應(yīng)商,始終追隨市場(chǎng)需求、走在相關(guān)行業(yè)應(yīng)用技術(shù)的前列,為企業(yè)提供專業(yè)激光解決方案。
(原標(biāo)題:micro led顯示中的關(guān)鍵激光剝離技術(shù))

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