幾年來，ic芯片設計、芯片制造、測試和封裝技術都取得了長足的進展，整個產業鏈的各個環節都在配套發展。“中國芯”與“外國芯”制造水平的差距正在縮短。盡管芯片特征尺寸0.25-0.18mm的cmos工藝仍是當前制備ic的主流技術，但0.13mm技術已開始進入生產領域，例如晶圓制造企業已能加工0.18mm-0.13mm技術的芯片，今后5-10年將面臨特征尺寸90nm以下的cmos工藝的挑戰。不僅如此，超大規模集成電路(vlsi)和特大規模集成電路(ulsi)快速發展，對器件加工技術提出更多的特殊要求，其中mos器件特征尺寸進入納米時代對超淺結的要求就是一個明顯的挑戰。cmos器件按比例縮小，要求源-漏結深越來越淺。根據半導體工業協會(sia)預測，對于柵長0.18mm的cmos器件，它的結深為54±18nm；而對于0.1mm器件，結深 為30±10nm。在要求超淺結的同時，其摻雜層還必須有低串聯電阻和低泄漏電流。為了實現這些目標，需要半導體行業界對源/漏摻雜、體內和溝道內摻雜予以更多的關注。
目前，一些企業制備淺結采用傳統的離子束注入技術，它通過減小注入能量、降低熱處理時間和溫度等來實現，如低能離子注入(l-e)、快速熱退火(rta)、預非晶化注入(pai)。但從根本上講，這些技術制備超淺結會帶來幾個問題：一是瞬態增強擴散的限制；二是激活程度的要求；三是深能級中心缺陷等。而近幾年比較有發展潛力的超低能注硼技術，會因cmos ic產業鏈生產能力限制而無法被推廣應用。業界專家相信，對于亞0.1mm cmos器件來說，將要求在溫度高達1100℃下退火。因此若干超淺結離子摻雜劑引入途徑正在深入研究中，一些極有希望的技術方案，如等離子體浸沒摻雜(piiid)、投射式汽體浸沒激光摻雜(p-gild)、快速汽相摻雜(rvd)和離子淋浴摻雜(isd)等超淺結離子摻雜技術，可望不久會進入生產領域。
2 四種超淺結離子摻雜新技術
2.1 等離子體浸沒摻雜
2.1.1 技術簡介
等離子體浸沒摻雜(piiid：plasma immersion ion implantation doping)技術初是1986年在制備冶金工業中抗蝕耐磨合金時提出的，亦稱等離子體離子注入、等離子體摻雜或等離子體源離子注入摻雜。1988年，該技術開始進入半導體材料摻雜領域，用于薄膜晶體管的氧化、高劑量注入形成埋置氧化層、溝槽摻雜、吸雜重金屬的高劑量氫注入等工序。近幾年來，該新技術已成為發表在一些性半導體期刊上學術論文的主題，且商用系統也有一些廠商提供技術和設備。
piiid技術的原理如圖1(a)所示。與傳統注入技術不同，piiid系統不采用注入加速、質量分析和離子束掃描等工藝。在piiid操作系統中，一個晶片放在鄰近等離子體源的加工腔中，該晶片被包含摻雜離子的等離子體所包圍。當一個負高壓 施加于晶片底座時，電子將被排斥而摻雜離子將被加速穿過鞘區而摻雜到晶片中。圖1(b)則說明 了piiid技術原形系統的結構。

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